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Transistor de Efeito de Campo de Potência RF, Banda de Ultra Alta Frequência, Silício, Canal N, Semicondutor de Óxido Metálico FET MRF184

Ainda sem avaliaçõesPedido 1

Principais atributos

Outros atributos

Lugar de origem
Guangdong, China
Marca
Original
Número do Modelo
MRF184
Tipo
Padrão
Série
Padrão
Descrição descrição:
Padrão
Embalagem
Padrão
Aplicação
Padrão
Pacote/Caixa
Padrão
Voltage-Supply
Padrão
Número de Elementos
Padrão
Características características:
Padrão
Tipo de montagem
Padrão
Código de data de fabricação
Padrão
Referência cruzada:
Padrão
Tipo de lógica
Padrão
Atual-Saída Alta, Baixa
Padrão
Número de Bits por Elemento
Padrão
Tipo de saída
Padrão

Embalagem e entrega

Porto
Shenzhen Hongkong Guangzhou Shanghai

Capacidade de fornecimento

Capacidade de fornecimento
30000 Peça/Peças per Day

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