Tipo de montagem
Through Hole
Descrição descrição:
Igbt transistor
Lugar de origem
Guangdong, China
Tipo
electronic components
Temperatura de Operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de Fornecedor
Fabricante Original, ODM, Agência, Varejista
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados, Foto
品名
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
Atual-Collector (Ic) (Max)
-
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
-
Atual-Collector Cutoff (Max)
-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Resistor-Emissor Base (R2)
-
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
55V
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 62A, 10V, 8mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA, 4V @ 250uA
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
146nC @ 10V, 146nC @ 10V
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
3247pF @ 25V, 3247pF @ 25V
Classificação da corrente (Ampères)
-
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
-
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
-
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo de corrente (Id)-Max
-
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
-
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
-
Tipo de Transistor
mrf150 rf power transistor
brand
100% new and original
quality guarantee
test report available
package
original with labels