Número do Modelo
MMBT5551LT1G SOT-23
Tipo de montagem
MMBT5551LT1G SOT-23
Descrição descrição:
MMBT5551LT1G SOT-23
Aplicação
MMBT5551LT1G SOT-23
Características características:
MMBT5551LT1G SOT-23
Código de data de fabricação
MMBT5551LT1G SOT-23
catalogue
Transistor (BJT)
Collector current (Ic)
600mA
Accumulator breakdown voltage (Vceo)
160V
DC current gain( hFE@Ic (Vce)
80@10mA,5V
Collector cut-off current (Icbo)
100nA
Collector emitter saturation voltage
200mV@5mA,50mA
operation temperature
-55℃~+150℃@(Tj)