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MMBT5551LT1G Original transistor chip circuito integrado IC componente eletrônico embalagem SOT-23 triodo

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Principais atributos

Outros atributos

Lugar de origem
China
Marca
Original
Número do Modelo
MMBT5551LT1G SOT-23
Tipo de montagem
MMBT5551LT1G SOT-23
Descrição descrição:
MMBT5551LT1G SOT-23
Aplicação
MMBT5551LT1G SOT-23
Tipo
MMBT5551LT1G SOT-23
Série
MMBT5551LT1G SOT-23
Características características:
MMBT5551LT1G SOT-23
Código de data de fabricação
MMBT5551LT1G SOT-23
catalogue
Transistor (BJT)
Transistor type
NPN
Collector current (Ic)
600mA
Accumulator breakdown voltage (Vceo)
160V
Power (Pd)
225mW
DC current gain( hFE@Ic (Vce)
80@10mA,5V
Collector cut-off current (Icbo)
100nA
Collector emitter saturation voltage
200mV@5mA,50mA
operation temperature
-55℃~+150℃@(Tj)

Embalagem e entrega

Unidades de Venda:
Item único
Tamanho da embalagem única:
10X10X10 cm
Peso bruto único:
0.100 kg

Tempo até a entrega

Quantidade (Peças)1 - 5 > 5
Tempo estimado (dias)7A ser negociado

Personalização

Customized packaging
Pedido Mínimo: 100000

Descrições do produto pelo fornecedor

Quantidade mínima de encomenda 5 Peças
US$ 0,05

Quantidade

Envio

Total do(s) item(ns) (0 variações 0 itens)
$0.00
Total do envio
$0.00
Subtotal
$0.00

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