Lugar de origem
Guangdong, China
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Fonte de luz
Material da microplaqueta
InGaN
Intensidade luminosa
Alto brilhante
Ângulo de visão (°)
120/140
Índice de rendição de cor (Ra)
70
Temperatura de funcionamento (℃)
-20-65
Temperatura de armazenamento (℃)
-20-65
Tensão para frente
1.8-2.4v
Corrente para frente
1400ma
Comprimento de onda
940nm-950nm
Tipo de produto
5w de alta potência ir led
Chip quatity
4 chips, 4in1
Comprimento de onda opcional
740nm 760nm 810nm 850nm 880nm 940nm 980nm
Faixa de potência
1-500w disponível
Outro comprimento de onda
700nm 710nm 720nm, 750nm, 770nm, 800nm, 830nm
Chips de led
Epileds/epistar chip
Mais comprimento de onda
780 nm 790 nm 808 nm 820nm 840nm 860nm 870nm 930nm