Tipo de montagem
Através do buraco
Descrição descrição:
Transistor de efeito de campo semicondutor de óxido de metal
Lugar de origem
Guangdong, China
Temperatura de Operação
-55 °C ~ 175 °C
Série
Irlr8726t aod538 fdd050n03b fdd8896
Aplicação
Motorista MOSFET
Tipo de Fornecedor
Fabricante Original, ODM, Agência
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD
Atual-Collector (Ic) (Max)
N/a
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
Padrão
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
N/a
Atual-Collector Cutoff (Max)
N/a
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
N/a
Temperatura de operação
-55 °c ~ 175 °c (tj)
Tipo de Montagem
Através do orifício
Resistor-Emissor Base (R2)
N/a
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
30v
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
80a
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Padrão
Vgs (th) (Max) @ Id
Padrão
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
Padrão
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
N/a
Classificação da corrente (Ampères)
N/a
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
N/a
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
N/a
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
N/a
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
N/a
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1-2.5v
Consumo de corrente (Id)-Max
N/a
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
20v
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
N/a
Aplicações
Propósito geral
Tipo de Transistor
N-canal mosfet