Transistores de IGBT 20N60 30N60 60N60 600v 20A 30a 60A poder mosfet IGW30N60H3 G30H603 TO3P

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Shenzhen Ming Jie Microelectronics Co., Ltd.3 yrs

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Principais atributos

Principal especificação da indústria

Número do Modelo

20N60 30N60 60N60

Tipo

Transistores

Tipo do pacote

Montagem Em superfície

Outros atributos

Descrição descrição:

Transistores mosfet

Lugar de origem

Guangdong, China

Pacote/Caixa

d/c

2sc1815

Aplicação

Placa de circuito de aparelho elétrico

Tipo de Fornecedor

Fabricante Original

Meios de comunicação Disponíveis

Outros

品名

Atual-Collector (Ic) (Max)

Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)

Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

Atual-Collector Cutoff (Max)

Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Power-Max

Freqüência-Transição

Temperatura de operação

Tipo de Montagem

Resistor-Base (R1)

Resistor-Emissor Base (R2)

Tipo FET

FET Recurso

Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)

Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds

Freqüência

Classificação da corrente (Ampères)

Figura de ruído

Power-Saída

Tensão-Classificado

Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

Tipo IGBT

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacitância de entrada (Cas) @ Vce

Entrada

Termistor NTC

Tensão-Repartição (V (BR) GSS)

Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Consumo de corrente (Id)-Max

Tensão-Corte (VGS off) @ Id

-Resistência RDS (On)

Tensão

Da tensão de Saída-

Tensão-Offset (Vt)

Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)

Atual-Vale (Iv)

-Corrente de Pico

Aplicações

Embalagem e entrega

Porto

shenzhen

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