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Hot IC FGH40N60UFDTU 600V 40A alta corrente poder MOSFET Transistores FGH40N60
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Principais atributos
Principal especificação da indústria
Número do Modelo
FGH60N60SMD
Tipo
Transistor IGBT
Marca
original
Tipo do pacote
TO-3P
Outros atributos
Tipo de montagem
DIP
Descrição descrição:
FGH60N60SMD
Lugar de origem
original
Pacote/Caixa
stand
d/c
new year
Aplicação
standard
Tipo de Fornecedor
Fabricante Original
Meios de comunicação Disponíveis
Foto
品名
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Atual-Collector (Ic) (Max)
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Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
stand
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
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Atual-Collector Cutoff (Max)
stand
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
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Power-Max
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Freqüência-Transição
stand
Temperatura de operação
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Resistor-Base (R1)
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Resistor-Emissor Base (R2)
stand
Tipo FET
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Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
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Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs (th) (Max) @ Id
stand
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
stand
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
stand
Freqüência
stand
Classificação da corrente (Ampères)
stand
Figura de ruído
stand
Power-Saída
stand
Tensão-Classificado
stand
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
stand
Vgs (Max)
stand
Tipo IGBT
stand
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
stand
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
stand
Entrada
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Termistor NTC
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Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
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Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
stand
Consumo de corrente (Id)-Max
stand
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
stand
-Resistência RDS (On)
stand
Tensão
stand
Da tensão de Saída-
stand
Tensão-Offset (Vt)
stand
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
stand
Atual-Vale (Iv)
stand
-Corrente de Pico
stand
Aplicações
stand
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Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
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Lead time
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MOQ
1 Pcs
Quality
New and original
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Support Sample
Brand
original brand/Contact customer service
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Within 5-7 Working Days
Embalagem e entrega
Embalagem
Em caixas
Unidades de Venda:
Item único
Tamanho da embalagem única:
0.2X0.2X0.2 cm
Peso bruto único:
0.010 kg
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| Tempo estimado (dias) | 3 | 5 | 7 | A ser negociado |
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