Descrição descrição:
Mosfet
Lugar de origem
Guangdong, China
Atual-Collector (Ic) (Max)
-
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
--
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
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Atual-Collector Cutoff (Max)
-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
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Resistor-Emissor Base (R2)
-
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
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Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
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Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
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Classificação da corrente (Ampères)
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Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
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Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
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Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
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Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
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Tensão-Corte (VGS off) @ Id
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Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
-
Breakover atual ibo max
132 um
Tensão nominal repetitiva fora de estado vdrm
800 v
Corrente de fuga fora do estado @ vdrm idrm
500 ua
Vf-tensão para a frente
1.75 v
Tensão inversa máxima do pico do portão
5 v
Tensão de gatilho de portão-vgt
1.5 v
Corrente de gatilho de portão-igt
15 ma
Temperatura mínima de operação
-40 c
Temperatura máxima de operação
+ 125 c
Classificação atual
7.5 um