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      D1001UK 20W 28V 175MHz RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor

      Ainda sem avaliações
      Shenzhen Genuine Industries Limited1 yrCN
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      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      D1001UK
      Tipo
      TRANSISTOR RF
      Marca
      Original
      Tipo do pacote
      Montagem Em superfície

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      standard
      Descrição descrição:
      D1001UK RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
      Lugar de origem
      Original
      Pacote/Caixa
      metal + ceramic
      Tipo
      RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
      Temperatura de Operação
      -65 to 150°C
      Série
      28V devices for frequencies to 1 GHz
      d/c
      23+
      Aplicação
      Alta freqüência
      Tipo de Fornecedor
      ODM, Agência, Varejista
      品名
      D1001UK 20W 28V 175MHz RF MOSFET
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      standard
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      standard
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      standard
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      standard
      Power-Max
      20W
      Freqüência-Transição
      1-175MHz
      Temperatura de operação
      -65 to 150°C
      Tipo de Montagem
      Montagem Em superfície
      Resistor-Base (R1)
      standard
      Resistor-Emissor Base (R2)
      standard
      Tipo FET
      VDMOS
      FET Recurso
      Padrão
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      70V
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      5A
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      7V
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      standard
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      60 pF
      Freqüência
      1-175MHz
      Classificação da corrente (Ampères)
      5A
      Figura de ruído
      standard
      Power-Saída
      20W
      Tensão-Classificado
      28V
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      standard
      Vgs (Max)
      7V
      Tipo IGBT
      standard
      Configuração
      standard
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      standard
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      standard
      Entrada
      standard
      Termistor NTC
      standard
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      ±20V
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      1 mA
      Consumo de corrente (Id)-Max
      5A
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      70V
      -Resistência RDS (On)
      standard
      Tensão
      standard
      Da tensão de Saída-
      standard
      Tensão-Offset (Vt)
      standard
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      standard
      Atual-Vale (Iv)
      standard
      -Corrente de Pico
      standard
      Aplicações
      standard
      Tipo de Transistor
      RF MOSFET

      Embalagem e entrega

      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      15X10X6 cm
      Peso bruto único:
      0.400 kg
      Mostrar mais

      Tempo até a entrega

      Quantidade (Peças)1 - 1011 - 100 > 100
      Tempo estimado (dias)37A ser negociado

      Personalização

      Logotipo personalizado
      Pedido Mínimo: 1000
      Embalagem personalizada
      Pedido Mínimo: 1000
      Personaliza??o gráfica
      Pedido Mínimo: 1000
      Para mais detalhes de personalização, envie uma mensagem ao fornecedor

      Descrições do produto pelo fornecedor

      1 - 49 Peças
      US$ 25,90
      >= 50 Peças
      US$ 15,90

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