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      AO4264E MOSFET (Óxido de Metal) N-CHANNEL Transistores FETs de Fonte Tripla de Drenagem Quad Single Enhancement 60V 13.5A 8SO

      Ainda sem avaliações
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      AO4264E
      Tipo
      Transistor
      Marca
      Original Brand
      Tipo do pacote
      Montagem Em superfície

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Surface Mount
      Descrição descrição:
      MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
      Lugar de origem
      Original
      Pacote/Caixa
      8-SOIC (0.154" 3.90mm Width)
      Tipo
      1 N-Channel
      Temperatura de Operação
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Série
      AlphaSGT
      d/c
      newest
      Aplicação
      De Propósito geral
      Tipo de Fornecedor
      Varejista
      Referência cruzada:
      5202-AO4264ETR
      Meios de comunicação Disponíveis
      Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD, Other
      品名
      Transistor
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      same as original
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      original standard
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      same as original
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      original standard
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      same as original
      Power-Max
      3.1W (Ta)
      Freqüência-Transição
      original standard
      Temperatura de operação
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Tipo de Montagem
      Montagem Em superfície
      Resistor-Base (R1)
      same as original
      Resistor-Emissor Base (R2)
      original standard
      Tipo FET
      N-Channel
      FET Recurso
      same as original
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      60V
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      13.5A (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      9.8mOhm @ 13.5A 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2.4V @ 250uA
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      13 nC @ 4.5 V
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      1100 pF @ 30 V
      Freqüência
      original standard
      Classificação da corrente (Ampères)
      same as original
      Figura de ruído
      original standard
      Power-Saída
      3.1W (Ta)
      Tensão-Classificado
      original standard
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      same as original
      Vgs (Max)
      ±20V
      Tipo IGBT
      same as original
      Configuração
      Single Quad Drain Triple Source
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      same as original
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      original standard
      Entrada
      same as original
      Termistor NTC
      original standard
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      same as original
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      original standard
      Consumo de corrente (Id)-Max
      same as original
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      original standard
      -Resistência RDS (On)
      same as original
      Tensão
      original standard
      Da tensão de Saída-
      same as original
      Tensão-Offset (Vt)
      original standard
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      same as original
      Atual-Vale (Iv)
      original standard
      -Corrente de Pico
      same as original
      Aplicações
      General Purpose
      Tipo de Transistor
      1 N-Channel
      SPQ
      3k/r
      Technology
      MOSFET (Metal Oxide)
      Channel Mode
      Enhancement
      Maximum Continuous Drain Current (A)
      13.5
      Number of Elements per Chip
      1
      Lead Shape
      Gull-wing
      PCB changed
      8
      Pin Count
      8
      Moisture Sensitivity Level (MSL)
      1 (Unlimited)
      RoHS Status
      ROHS3 Compliant

      Embalagem e entrega

      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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      Tempo até a entrega

      Quantidade (Peças)1 - 3000 > 3000
      Tempo estimado (dias)15A ser negociado
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