ANBON Transistor MOSFET de potência ANBON N-Channel TO-247-4 1200V 18A AS1M160120T SiC

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Shenzhen Anbon Semiconductor Co., Ltd.

Fornecedor com várias especialidades5 yrs

CN

Principais atributos

Principal especificação da indústria

Número do Modelo

AS1M160120T

Tipo

MOSFET

Marca

Anbon

Tipo do pacote

Através de orifício

Outros atributos

Tipo de montagem

Através do buraco

Descrição descrição:

As1m160120t 1200v 18a sic mosfet transistor

Lugar de origem

Guangdong, China

Pacote/Caixa

Para-247-4

Aplicação

Motorista MOSFET

Tipo de Fornecedor

Fabricante Original

Meios de comunicação Disponíveis

Folha de dados

Power-Max

125w

Temperatura de operação

-55 °C a + 150 °C

Tipo de Montagem

Através do orifício

Tipo FET

N-canal

Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)

1200v

Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C

18a

Rds On (Max) @ Id, Vgs

196mr @ 20v/10a

Vgs (th) (Max) @ Id

4.0v @ 2.5ma

Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs

49nc

Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds

890pf

Tipo de diodo

Transistor sic mosfet

Pacote

Para-247-4

Embalagem e entrega

Embalagem

Embalagem selada & resistente

Capacidade de fornecimento

Capacidade de fornecimento

25000000 Peça/Peças per Month

Personalização

Customized Design

Pedido Mínimo: 10000000

Para mais detalhes de personalização, envie uma mensagem ao fornecedor

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