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      60N60FD1 HuanXin IGBT 600V 60A Marcação TO-3P 60n60 igbt original mosfet Transistor IGBT SGT60N60FD1 SGT60N60FD1PN 60N60FD1

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      YMETECH INTERNATIONAL (HK) CO., LIMITED1 yrHK
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      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      60N60FD1
      Tipo
      Outros
      Marca
      Original
      Tipo do pacote
      Através do buraco

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Padrão, Através do buraco
      Descrição descrição:
      Transistor igbt, Igbt
      Lugar de origem
      China
      Pacote/Caixa
      TO-3P
      Tipo
      Transistor
      Temperatura de Operação
      Padrão
      Série
      Transistor igbt
      d/c
      Mais novo
      Aplicação
      De Propósito geral
      Tipo de Fornecedor
      Fabricante Original, ODM, Agência, Varejista, Outros
      Meios de comunicação Disponíveis
      Folha de dados
      品名
      60n60fd1
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      Padrão
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      Padrão
      Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
      Padrão
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      Padrão
      Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Padrão
      Power-Max
      Padrão
      Freqüência-Transição
      Padrão
      Resistor-Base (R1)
      Padrão
      Resistor-Emissor Base (R2)
      Padrão
      Tipo FET
      Padrão
      FET Recurso
      Padrão
      Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
      Padrão
      Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
      Padrão
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Padrão
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Padrão
      Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
      Padrão
      Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
      Padrão
      Freqüência
      Padrão
      Classificação da corrente (Ampères)
      Padrão
      Figura de ruído
      Padrão
      Power-Saída
      Padrão
      Tensão-Classificado
      Padrão
      Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
      Padrão
      Vgs (Max)
      Padrão
      Tipo IGBT
      Padrão
      Configuração
      Padrão
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Padrão
      Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
      Padrão
      Entrada
      Padrão
      Termistor NTC
      Padrão
      Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
      Padrão
      Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Padrão
      Consumo de corrente (Id)-Max
      Padrão
      Tensão-Corte (VGS off) @ Id
      Padrão
      -Resistência RDS (On)
      Padrão
      Tensão
      Padrão
      Da tensão de Saída-
      Padrão
      Tensão-Offset (Vt)
      Padrão
      Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
      Padrão
      Atual-Vale (Iv)
      Padrão
      -Corrente de Pico
      Padrão
      Aplicações
      Padrão
      Pacote
      Pacote original
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      Formas de pagamento
      Paypal \ tt \ visa \ trade assurance

      Embalagem e entrega

      Embalagem
      Embalagem Original
      Porto
      Shenzhen
      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      5X5X5 cm
      Peso bruto único:
      0.100 kg

      Capacidade de fornecimento

      Capacidade de fornecimento
      10000 Peça/Peças per Day
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      ₫ 2.287

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