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      25n120 fga25n120 igbt transistor único 50a 1200v 312w dip TO-3P mah

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      Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.Fabricante personalizado3 yrsCN

      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Número do Modelo
      FGA25N120ANTDTU
      Tipo
      Transistor IGBT
      Marca
      Original
      Tipo do pacote
      Mergulho

      Outros atributos

      Tipo de montagem
      Através do buraco
      Descrição descrição:
      Igbts simples
      Lugar de origem
      China
      Pacote/Caixa
      TO-3P-3
      Tipo
      Transistores
      Série
      Produtos semicondutores discretos
      d/c
      Novo
      Aplicação
      Transistor igbt
      Referência cruzada:
      Ngtb25n120fl2wg, Ikw25n120t2fksa1, Irg8p25n120kdpbf, Ngtb25n120fl3wg, Ikw25n120cs7xksa1, Ihw25n120e1xksa1, Igw25n120h3fksa1, Ngtg25n120fl2wg, Fga25n120antdtu, FGA25N120ANTDTU-F109, Ikw25n120t2xk, Ikw25n120h3fksa1, MIW25N120FA-BP, Sgl25n120ruftu, Ngtb25n120fl2wag, IRG8P25N120KD-EPBF, Ngtb25n120swg, Fgh25n120ftds, Ngtb25n120flwg, Skw25n120fksa1, Sfgh25n120ftds, Ngtb25n120ihlwg, Ihw25n120r2fksa1, Ngtb25n120
      品名
      Fga25n120antdtu
      Atual-Collector (Ic) (Max)
      50a
      Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
      1200v
      Atual-Collector Cutoff (Max)
      90a
      Power-Max
      312w
      Freqüência-Transição
      4.1mj (em)
      Temperatura de operação
      -55 °C ~ 150 (tj)
      Tipo de Montagem
      Através do orifício
      Tipo IGBT
      Npt e trincheira
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      2.65v @ 15v, 50a
      Entrada
      Padrão
      Energia de comutação
      4.1mj (ligado), 960uj (desligado)
      Carga do portão
      200 nc
      Td (ligado/desligado) @ 25 °C
      50ns/190ns
      Condição de teste
      600v, 25a, 10ohm, 15v
      Tempo de recuperação reversa (trr)
      350 ns

      Capacidade de fornecimento

      Capacidade de fornecimento
      10000 Peça/Peças per Week
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      Quantidade (Peças)1 - 10000 > 10000
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