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      Infravermelho de alta potência, 1w 3w 5w 850nm 950nm 730nm

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      Shenzhen Ruijiahong Photoelectric Co., Ltd.3 yrsCN
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      Principais atributos

      Principal especificação da indústria

      Garantia (ano)
      2-ano
      Suporte ao Dimmer
      Sim
      Eficácia luminosa (lm/w)
      10

      Outros atributos

      Lugar de origem
      Guangdong, China
      Tensão de entrada (V)
      3V
      Tipo
      Diodo emissor de luz do poder superior
      Serviço de soluções de iluminação
      Iluminação e design de circuitos
      Tempo de vida (horas)
      50000
      Tempo de trabalho (horas)
      50000
      Material da microplaqueta
      InGaN
      Emitindo-se a cor
      Branco fresco
      Intensidade luminosa
      90-100
      Fluxo luminoso (lm)
      250-280
      Atenuação ótica (%)
      3
      Poder
      1W
      Dissipação de poder
      0.1
      Ângulo de visão (°)
      120
      Índice de rendição de cor (Ra)
      80
      Temperatura de funcionamento (℃)
      -40 - 60
      Temperatura de armazenamento (℃)
      20 - 40
      Marca
      RJH
      Keyword
      electronic components,r infrared led chip,led chip
      Emitting color
      infrared
      Forward Current
      350mA 700mA 1300mA
      Forward Voltage
      2V 3.2-3.4v
      Lamp Luminous Efficiency(lm/w)
      90
      Product name
      Infrared emission lamp bead

      Embalagem e entrega

      Unidades de Venda:
      Item único
      Tamanho da embalagem única:
      1X0.8X0.5 cm
      Peso bruto único:
      0.005 kg
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