| WF*730 | |||
| Minuto | Típico | Máximo | |
| Identificação máxima (25C), A | 6.0 | ||
| BVdss, V | 400 | ||
| RDS (sobre) (Vgs=10V), ohm | 0.78 | 0.95 | |
| Vgs (th), V | 2.0 | 4.0 | |
| Ciss, picofarad | 670 | ||
| Qg, nC | 25 | ||
| Aplicação | Reator da iluminação | ||
| Tipo do pacote | TO-220 | TO-220F | |
| nome de produto exato | WFP730 | WFF730 | |
Características
Capacidade melhorada de dv/dt, aspereza elevada
A avalancha 100% testou
Escala de temperatura máxima da junção (150°C)
Descrição geral
Este MOSFET do poder é produzido usando Wisdoms avançado
listra planar, tecnologia de DMOS. Esta tecnologia a mais atrasada foi
projetou especial minimizar a resistência do em-estado, têm uma elevação
características ásperas da avalancha. Estes dispositivos são poço - serido
para conversores do interruptor DC/DC da eficiência elevada, comute o poder da modalidade
fonte, conversores de DC-AC para a fonte de alimentação uninterruped, motor
controle.
South Korea
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