especificação piezoeléctrica do transdutor:
Dimensão (milímetro) | Capacidade C (picofarad) | WeakFieldDissipation Tgδ (12V) | Freqüência radial Franco (quilohertz) | Impedância da ressonância ZM (Ω) | Módulo do acoplamento KP (%) |
Φ8Φ32 | 250±15% | ≤0.5% | 198±5% | ≤30 | ≥40 |
Φ10Φ52 | 300±15% | ≤0.5% | 146±5% | ≤30 | ≥40 |
Φ15Φ84 | 360±15% | ≤0.5% | 95.5±5% | ≤35 | ≥39 |
Φ25Φ104 | 1250±15% | ≤0.5% | 62.8±5% | ≤20 | ≥39 |
Φ35Φ155 | 1750±15% | ≤0.5% | 43.8±5% | ≤20 | ≥39 |
Φ38Φ155 | 2250±15% | ≤0.5% | 41.5±5% | ≤15 | ≥39 |
Φ40Φ155 | 2500±15% | ≤0.5% | 40.0±5% | ≤15 | ≥39 |
Φ45Φ155 | 3300±15% | ≤0.5% | 36.5±5% | ≤12 | ≥40 |
China
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