Número modelo

Parâmetro da estrutura do cabo

Condutor interno

isolação

Para fora condutor

bainha

Quantidade do núcleo/diâmetro milímetro

Para fora diâmetro milímetro

estrutura

Espessura padrão milímetro

Espessura mínima milímetro

Para fora diâmetro milímetro

SYV75-2

7/0.08

1.5±0.10

Única camada da trança

0.43

0.30

2.9±0.10

SYV75-3

7/0.17

3.0±0.15

Único laye da trança

0.66

0.45

5.0±0.25

SYV75-5-1

1/0.72

4.6±0.20

Única camada da trança

0.90

0.60

7.1±0.30

SYV75-5-2

7/0.26

4.6±0.20

Único laye da trança

0.90

0.60

7.1±0.30

SYV75-7

7/0.40

7.30±0.25

Único laye da trança

1.0

0.70

10.2±0.30

SYV75-9

1/1.37

9.0±0.30

Único laye da trança

1.2

0.80

12.4±0.40

SYV50-2-1

7/0.15

1.5±0.10

Único laye da trança

0.43

0.30

2.9±0.10

SYV50-2-2

1/0.68

2.2±0.10

Único laye da trança

0.56

0.40

4.0±0.20

SYV50-3

1/0.90

3.0±0.15

Único laye da trança

0.66

0.45

5.0±0.25

SYV50-5-1

1/1.37

4.6±0.20

Único laye da trança

0.90

0.60

7.0±0.30

SYV50-5-2

1/1.37

4.6±0.20

Camada dobro da trança

0.90

0.60

7.8±0.30

SYV50-7-1

7/0.76

7.3±0.25

Único laye da trança

1.0

0.70

10.2±0.30

SYV50-7-2

7/0.76

7.3±0.25

laye dobro da trança

1.0

0.70

11.2±0.30

estrutura

Tipo

Condutor interno milímetro

Da isolação diâmetro milímetro para fora

Isolação resistance≥MΩ.km

impedância natural Ω

capacidade

≤pf/m

Constante de atenuação dB/100m≤

Peso kg/km da referência

50MHz

200MHz

800MHz

Isolação vertical do furo

SYKV-75-5

1/1.00

4.8

5000

75±3

60

5.3

10.8

22.9

50

SYKV-75-7

1/1.60

7.3

5000

75±3

60

3.4

7.1

15.2

95

SYKV-75-9

1/2.00

9.0

5000

75±3

60

2.8

5.7

12.5

153