| receptor ótico: transmissor ótico |
Características de desempenho
n Com o conversor fotoelétrico do PIN e resposta elevada.
n Projeto de circuito da optimização, produção do processo de SMT, trajeto do sinal da optimização, transmissão fotoelétrica do sinal da facilidade.
n Com RF especializado atenue o CI, bom linear do RF e igualdade e exatidão elevada.
n O GaAs amplifica, saída dobro do poder, ganho elevado e baixa distorção.
n O status de trabalho do controle do microprocessador, diodo emissor de luz mostra todos os parâmetros, operação da conveniência e estabilidade elevada.
n Desempenho do AGC da optimização, quando a escala de poder da entrada for 92dBm, a alavanca de saída, sustento de CTB e de CSO constantemente.
n Relação de transmissões de dados alternativa, é conveniente conectar com o que responde da gestão de rede, conectando com o sistema da gestão de rede.
Parâmetro técnico
Artigo | Unidade | Parâmetro técnico | |||
Parâmetro ótico | |||||
Receba o poder ótico | dBm | -9 ~ +2 | |||
Perda do retorno | DB | >45 | |||
Comprimento de onda ótico | nanômetro | ~ 1100 1600 | |||
Tipo do conector |
| FC/APCSC/APC | |||
Tipo da fibra |
| Única modalidade | |||
Desempenho do circuito | |||||
C/N | DB | entrada do ≥ 51-2dBm | |||
C/CTB | DB | ≥ 65 | dBμV do nível de saída 108 6dB equilibrado | ||
C/CSO | DB | ≥ 60 | |||
Desempenho do RF | |||||
Escala de freqüência | Megahertz | 45 ~862 | |||
Nivelamento na faixa | DB | ±0.75 | |||
Nível de saída avaliado | dBμV | ≥ 108 | |||
Nível de saída máxima | dBμV | ≥112 | |||
Perda do retorno da saída | DB | ≥14 | |||
Impedância da saída | Ω | 75 | |||
Escala do controle eletrônico EQ | DB | 010 | |||
Escala do controle eletrônico ATT | dBμV | 020 | |||
Retorne transmitem o parâmetro de desempenho | |||||
Parâmetro ótico | |||||
Ótico transmita o comprimento de onda | nanômetro | 1310±10 | |||
Output o poder ótico | dBm | 1 ~ 5 | |||
Tipo do conector |
| FC/APCSC/APC | |||
Parâmetro do RF | |||||
Escala de freqüência | Megahertz | 5 ~ 65 ou de acordo com a exigência do usuário | |||
Nivelamento na faixa | DB | ±1 | |||
Nível de entrada | dBμV | 85 ~ 90 | |||
Impedância da saída | Ω | 75 | |||
Parâmetro geral | |||||
Tensão de fonte | V | AAC150~265VBAC35~90V | |||
Temperatura de funcionamento | -40~60 | ||||
Temperatura de armazenamento | -40~65 | ||||
Umidade relativa | % | 95% máximo nenhuma condensação | |||
Consumo | VA | ≤ 30 | |||
Dimensão | milímetro | 240L 240W 150H | |||
Nota: O parâmetro do RF para diante é testado sob a condição de usar o módulo de poder dobro do DB do GaAs 25 no último estágio, se você usa o outro módulo, o parâmetro será ligeiramente diferente.
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