Caracterizar & Especificar Capacitor metalizado da película do Polypropylene (radar de potência média) CBB21

Característica metalizada do capacitor da película do Polypropylene:

O radar de potência média é construído com o dielétrico metaiized da película do polypropylene, eopperply revestimento da resina da ligação e de cola Epoxy. São apropriada para a obstrução, o desvio, o acoplamento, a filtração deeoupling, cronometrar, a compensação de temperatura de ajustamento, e o ideal para o uso em equipamentos de telecomunicação, equipamentos de processo de dados,
instrumentos industriais, sistema de controlo automático e outros equipamentos eletrônicos gerais.
CARACTERÍSTICAS:
1 baixo fato do disspipation
estabilidade 2.High da capacidade e do DF contra o construciton Non-inductive da temperatura e do requenccy e a propriedade self-healing.

DADOS TÉCNICOS GERAIS

L.S. (milímetro) 15 22.5 27.5 L (nH) 10 18 18

Resistência de isolação:
Condições de teste
Temperatura:      +25oC±5
Tempo da carga da tensão: 1 minuto
Carga da tensão:     100Vdc
Desempenho
>20000mΩ (C≤F)
>2000mΩ*μ F (C>0.1μ F)
TENSÃO DE WITHSTAND:     1.6Vr (2SEC)

TESTE O MÉTODO E O DESEMPENHO
Condições de teste
Temperatura:        +25±5oC
Tempo da carga da tensão:  lmin
Carga da tensão:      100VDC 10VDC

desempenho
>20000mΩ (C≤0.1μF)
>2000mΩ*μF (C>0.1μF)

TENSÃO DE WITHSTAND:   1.6Vr (2SEC)
TESTE O MÉTODO E O DESEMPENHO
Condições de teste
temperatura:      +40oC ±2oC
Umidade relativa (RH): 93% ±2%
Duração do teste:      21 dias

Desempenho
Mudança da capacidade (~C/C): ≤±5%
DFchange (/~DF):          ≤5% em 1KHz
resistência de isolação:       ≥50% do limite inicial

Resistência:
Condições de teste
                    temperatura: 85oC±2oC
Duração do teste: 1000h
A tensão aplied: 1.25xVr
Mudança da capacidade (/~C/C): ≤±5%
DFchange (~DF):          ≤5% em 10KHz para C≤uF
Resistência de isolação:       ≥50% do limite inicial

Resistência ao calor de solda:
Condições de teste
Temperatura do banho da solda: +260±5oC
Mergulhando o tempo (com tela de calor): 5s±1 s

Desempenho
Mudança da capacidade (/~ de C/C): ≤±2%
DFchange (ADF):          ≤50dx10 (- 4) em 1KHz
Resistência de isolação:       ≥50% do limite inicial