Especificação (módulo da memória de DDR2 800MHz):
1) DDR2 800MHz a 533MHz
2) tipo do soquete de 240 pinos duplo na linha módulo da memória (DIMM)
3) Fonte de alimentação 1.8V sem chumbo
4) Taxa de dados: 800Mhz/667Mbps/533Mbps
(SSTL-18 compatível) I/O 5) 1.8V
) arquitetura da Dobro-dados-taxa 6: duas transferências de dados por o ciclo de pulso de disparo
7) O estroboscópio bidirecional, diferencial dos dados (DQS e /DQS) é transmitido/recebido com dados,
para para ser usado em capturar dados no receptor
8) DQS é borda alinhada com os dados para a leitura: centro alinhado com os dados para a escrita
9) Entradas de pulso de disparo diferencial (CK e /CK)
10) O DLL alinha transições de DQ e de DQS com as transições das CK
11) Comandos incorporados em cada borda positiva das CK: dados e máscara dos dados provida a ambas as bordas de DQS
12) Quatro bancos internos para a operação simultânea (componente)
13) Os dados mascaram (DM) para redigem dados
14) Comprimentos do estouro: 4, 8
15) Latência do CAS (CL): 3, 4, 5
16) A auto operação da pré-carga para cada um estourou o acesso
17) O automóvel refresca e o auto refresca modalidades
18) periódico 7.8us médios refresca o intervalo
19) CAS afixado pela latência aditiva programável para a melhor eficiência da barra-ônibus do comando e de dados
) ajuste e em-morrer-terminação da impedância do Fora-microplaqueta-excitador 20 para a melhor qualidade de sinal
21) DQS pode ser deficiente para a operação single-ended do estroboscópio dos dados
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